TR組件

模擬TR以瓦片式為主,產品分為數字TR和模擬TR類型,自主設計內部功放、限幅低噪放、收發數控衰減多功能芯片等,頻率覆蓋DC~Ku波段。具有頻帶寬、收發功率高、功能集成度高、體積小、重量輕、可靠性高等特點,技術達到國內先進水平,具備很強的技術能力和工程經驗,廣泛用於相控陣雷達領域。


      • 圖1 直視圖

        圖1 直視圖

      • 圖2 透視圖

        圖2 透視圖

      • 圖3 爆炸圖

        圖3 爆炸圖

      ●   自主設計限幅器、低噪放、功放等功能,自主流片多功能芯片及功放芯片

      ●   采用多層設計技術、微裝工藝相結合的方式實現小體積

      ●   根據產品不同的環境適應要求,定製化設計


      主要參數

      性能指標

      頻率範圍

      DC~Ku

      移相器

      6位,相位誤差:≤6°;RMS≤3°

      R

      增益

      ≥25dB

      噪聲係數

      ≤3.5dB

      線性動態

      ≥60dB

      抗燒毀功率

      ≥48dBm

      輸出P-1

      ≥0dBm

      數控衰減

      6位,附加相移:≤5°

      T

      輸出信號功率

      ≥46dBm

      功率平坦度

      ≤1dB

      功率頂降

      ≤0.7dB

      諧雜波抑製

      ≥60dBc

      TR

      相位一致性

      相位誤差:≤6°;RMS≤3°

      增益不一致性

      ≤2dB

      通道間隔離

      ≥45dB